术语索引与参数速查

电子器件 索引 参数速查
创建于 2026-05-25
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术语索引与参数速查

用途

这是一页快速索引，用来查常见参数和概念。详细原理请跳转到对应笔记。

1. 二极管 / TVS / ESD 参数

参数 所属器件 含义 备注
Vz 齐纳二极管-稳压与反向击穿 齐纳电压/稳压值 通常在指定测试电流下标定
Iz 齐纳二极管-稳压与反向击穿 齐纳电流 太小稳不住，太大过热
Pz 齐纳二极管-稳压与反向击穿 最大功耗 P = Vz × Iz
rz 齐纳二极管-稳压与反向击穿 动态电阻 越小稳压越硬
VRWM TVS二极管-瞬态过压保护 / 双路ESD保护二极管 反向工作电压 正常工作时不应明显导通
VBR TVS/ESD 击穿电压 开始明显导通的电压范围
VC TVS/ESD 钳位电压 大电流下真正限制到的电压
IPP TVS 峰值脉冲电流 与测试波形有关
PPP TVS 峰值脉冲功率 脉冲功率，不是连续功率
Cj ESD/TVS 结电容 高速接口非常关键
IR ESD/TVS/齐纳 漏电流 高阻抗和低功耗场景关注
Rdyn TVS/ESD 动态电阻 越小钳位越低

2. 共模扼流圈参数

参数 含义 备注
共模阻抗 对共模噪声的阻抗 常标注 Ω @ frequency
额定电流 可长期通过的正常电流 电源线要重点看
DCR 直流电阻 决定压降和发热
漏感 未被互感抵消的差模电感 高速信号关注
插入损耗 对信号频段的损耗 USB/HDMI/MIPI 等必须看
频率特性 阻抗随频率变化 要匹配噪声频段

对应笔记：共模扼流圈-CMC

3. 三极管开关参数

参数 含义 备注
IB 基极电流 BJT 导通需要持续基极电流
IC 集电极电流 负载电流通常从 C 到 E
β / hFE 电流放大倍数 开关应用不能完全依赖
VBE 基极-发射极压降 硅管导通约 0.6~0.7V
VCE(sat) 饱和压降 导通损耗关键
强迫 β IC / IB 的设计值 常取 10 左右来保证饱和
截止区 IB≈0，C-E 近似断开 开关 OFF
饱和区 基极电流充足，C-E 低压降 开关 ON

对应笔记：三极管作为开关管

4. 易混概念对比

4.1 齐纳 vs TVS vs ESD

对比 齐纳二极管 TVS ESD 保护二极管
主要目标 稳压 浪涌/瞬态保护 接口静电保护
工作时间 可长期小电流 短脉冲 极短 ESD 脉冲
关注点 Vz、精度、功耗 VC、IPP、脉冲功率 Cj、VC、布局
典型位置 简单参考/钳位 电源入口/外部接口 信号连接器旁

4.2 双路 vs 双向

术语 含义
双路 有两个保护通道，可保护两根线
双向 单个通道可对正负方向浪涌进行类似钳位
双路单向 两根线，每根线单向保护
双路双向 两根线，每根线双向保护

对应笔记：双路ESD保护二极管

4.3 共模 vs 差模

类型 电流方向 典型意义
差模 两根线方向相反 正常电源回路、差分信号
共模 两根线方向相同 外部干扰、线缆辐射、地噪声

对应笔记：共模扼流圈-CMC

5. 典型工程组合

5.1 USB D+/D-

连接器
  |
ESD 阵列
  |
共模扼流圈
  |
USB PHY

重点：

  • ESD 低电容；
  • CMC 低插损；
  • 差分阻抗连续；
  • ESD 靠近连接器。

5.2 CAN / RS485

连接器
  |
TVS / ESD
  |
共模扼流圈
  |
终端 / 收发器

重点：

  • 长线抗扰；
  • 共模噪声；
  • 浪涌和 ESD；
  • 终端匹配。

5.3 MCU 控继电器

MCU GPIO → 基极电阻 → NPN
                         |
                       继电器线圈
                         |
                       续流二极管

重点：

  • 基极电流足够；
  • NPN 进入饱和；
  • 线圈必须有续流路径；
  • MCU IO 电流不能超限。

6. 快速判断问题

看到一个器件，先问：

  1. 它是处理电压钳位、噪声滤波还是负载开关？
  2. 正常工作时它是导通还是截止？
  3. 异常发生时，电流从哪里来、往哪里走？
  4. 能量最后耗散在哪里？
  5. PCB 布局中的回流路径是否短？
  6. 对高速信号有没有电容、阻抗、插入损耗问题？

7. 总结口诀

齐纳：小电流，反向稳压
TVS：大脉冲，瞬态钳位
ESD：小封装，多通道，守接口
CMC：差模放行，共模阻挡
BJT：基极给流，C-E 饱和导通